绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。

    自IGBT商业化应用以来，作为新型功率半导体器件的主型器件，IGBT在1—100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为600V—6500V，电流范围为1A—3600A(140mm x 190mm模块)。

    从应用的角度来说，由IGBT芯片组成的IGBT器件、模块、组件以及系统装置有着极强的应用范围，小到我们日常所见的变频空调、变频冰箱、吸尘器，大到轨道交通车辆、智能电网、航空航天、船舶驱动、新能源装备、新能源汽车等高端产业，可以说，凡是有电的地方，都可以看到它IGBT的身影，特别是在涉及国家经济安全、国防安全战略性产业领域，高功率等级的IGBT尤为关键，在某种程度上，该技术成为衡量一个国家的技术水平和制造能力重要指标之一，成为国家掌握核心技术，不受制于人的“大国重器”。

     与此同时，IGBT强大的功能决定它也是节能减排产业中不可或缺的关键技术。初步估算，如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中，可以使其电能使用效率提高15%—30%，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当20个三峡电站的年发电量。